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​来源：搜狐科技

据国外媒体报道，三星电子将对其中国西安芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。

这是三星西安闪存芯片项目的二期第二阶段投资，此前108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。

早在2017年三星曾宣布，未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前，三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。

据悉，二期项目预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。

业内人士分析，三星此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。由于中国5G网络布局提速，对5G设备和网络需求的不断上升，明年全球内存芯片市场将出现反弹，因而加大中国芯片厂商的投资也是明智之举。